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KAIST, 테라바이트 메모리 시대 열었다
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KAIST, 테라바이트 메모리 시대 열었다
  • 새교육정보
  • 승인 2021.03.16 17:07
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기본형 MoS와 최적화형 MoS(KAIST 제공) ©뉴스1

(대전=뉴스1) 심영석 기자 = KAIST 전기및전자공학부 정명수 교수 연구팀이 성능과 용량이 대폭 향상된 메모리 기술을 개발했습니다.

비휘발성 메모리와 초저지연 SSD를 하나의 메모리 공간으로 통합하는 MoS(금속 산화막 반도체)기술 개발에 성공한 것입니다.

이는 일부 해외 기업만이 주도하던 영구 메모리 기술 관련 시장에서 국내 기술이 우위를 선점할 가능성을 열었다는 점에서 의미 있는 연구결과로 받아들여지고 있습니다.

16일 KAIST에 따르면 비휘발성 메모리(NVDIMM, Non-Volatile DIMM)는 기존 D램(DRAM)에 플래시 메모리와 슈퍼 커패시터를 추가해 정전 때에도 데이터를 유지할 수 있습니다.

기존 NVDIMM의 경우 운영체제의 도움 없이 CPU가 직접 비휘발성 메모리에 접근할 수 있다는 장점이 있으나, DRAM을 그대로 활용하고 배터리 크기를 무한히 키울 수 없어 대용량 데이터를 처리할 수 없다는 문제가 있습니다.

대안으로 인텔의 옵테인 메모리(Intel Optane DC PMM)와 메모리 드라이브 기술(Intel Memory Drive Technology) 등이 있으나, 비휘발성 메모리에 접근할 때마다 운영체제의 도움이 필요해 NVDIMM에 비해 50% 수준으로 읽기·쓰기 속도가 떨어집니다.

정 교수팀이 제안한 MoS 기술은 초저지연 SSD를 주 메모리로, NVDIMM을 캐시메모리(느린 메모리에 저장된 데이터를 빠른 메모리에 복사해 두는 기법)로 활용했습니다.

즉, SSD의 대용량의 저장 공간을 사용자에게 메모리로 사용하게 해줌과 동시에 NVDIMM 단독 사용시와 유사한 성능을 얻음으로써 미래 영구 메모리 기술들이 가지는 한계점들을 전면 개선했습니다.

 

 

 

KAIST 연구진들.(왼쪽부터)전기및전자공학부 정명수 교수, 장지에 박사후연구원, 권미령 박사과정, 국동현 박사과정© 뉴스1

 

 

MoS 기술은 메인보드나 CPU 내부에 있는 메모리 컨트롤러 허브(MCH)에 적용돼 사용자의 모든 메모리 요청을 처리합니다.

사용자 요청은 일반적으로 NVDIMM 캐시 메모리에서 처리되지만 NVDIMM에 저장되지 않은 데이터의 경우 초저지연 SSD에서 데이터를 읽어와야 합니다.

기존 기술들은 운영체제가 이러한 SSD 읽기를 처리하는 반면, 개발된 MoS 기술은 메모리 컨트롤러 허브 내부에서 하드웨어가 SSD 입출력을 직접 처리함으로써 초저지연 SSD에 접근 시 발생하는 운영체제(OS)의 입출력 오버헤드(추가로 요구되는 시간)를 완화했습니다.

개발된 MoS 기술은 소프트웨어 기반 메모리 드라이브나 옵테인 영구 메모리 기술 대비 45% 절감된 에너지 소모량으로 110%의 데이터 읽기·쓰기 속도 향상을 달성했습니다.

이는 대용량의 메모리가 필요하고 정전으로 인한 시스템 장애에 민감한 데이터 센터, 슈퍼컴퓨터 등에 사용되는 기존 메모리·미래 영구 메모리를 대체할 수 있을 것으로 기대됩니다.

한편, 이번 연구결과는 오는 6월에 열릴 컴퓨터 구조 분야 최우수 학술대회인 ‘이스카(ISCA, International Symposium on Computer Architecture)2021’에서 관련 논문으로 발표될 예정입니다.


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